三星Galaxy S9，Galaxy S9 Plus内存配置泄露：报告

三星Galaxy S9和Galaxy S9 plus已经出现了不少漏洞，尤其是在中国的微博平台上。现在，另一个漏洞声称已经公布了即将发布的三星旗舰智能手机的RAM和存储配置。根据早些时候的泄露，三星本应在CES 2018上展示Galaxy S9和Galaxy S9 plus，但这并没有发生。三星可能会在巴塞罗那的2018年MWC上展示这些手机，或者我们可以看到Galaxy S9系列像之前的Galaxy S8智能手机一样，在3月份发布时间表。

根据微博上发布的最新消息，三星Galaxy S9将提供两种选择：4GB RAM和64GB存储，4GB RAM和128GB存储。另一方面，三星Galaxy S9 plus将配备6GB RAM和三种存储变体：64gb、128gb和256gb。该微博称，三星可能会推出512GB型号的手机，尽管这可能是暂时的，只在特定市场提供。

SamMobile也报道了这一漏洞，称这可以被视为Galaxy S9最终可能不会配备双后置摄像头。此前的泄露称，三星Galaxy S9 plus将获得双后置摄像头，而不是更小的设备。三星预计将在S9系列上坚持使用Infinity显示屏。

在美国，三星Galaxy S9将搭载高通骁龙845处理器，而在印度和其他国际市场，它将搭载该公司自己的Exynos 9810处理器。三星过去也为Galaxy S8 plus和Note 8推出了更高的RAM和存储变体，所以它可能会在Galaxy S9系列上做同样的事情。