高通与三星的10纳米设计Snapdragon 835 SoC合作伙伴

高通公司宣布了其下一代移动处理器-Snapdragon 835。高通公司将与三星合作，使用后者的10nm FinFET制造工艺制造Snapdragon 835 soc。

据称，与14nm Snapdragon 821相比，三星的10nm技术可将面积效率提高多达30%，功耗降低40%，性能提高27%。

“然而，更少的空间并不意味着更少的处理能力。10纳米节点将帮助Snapdragon 835处理器实现高质量的能效和性能，同时为新的移动体验开辟空间，“高通在一篇博客文章中说。Snapdragon 835预计将从2017年上半年开始在商用设备上发货。

根据高通公司的说法，10nm是单个水分子的大小，比头发的支架小1000倍。借助10nm大小的芯片的较小尺寸，制造商将能够找到更多可用空间，以使手机更薄或添加更大的电池。

“尽管外形小巧，但这种尺寸的芯片可以打开关键空间并带来重大性能提升，为Snapdragon 835用户提供更多的设备空间，以提供尖端功能和卓越的移动体验，” 该帖子补充道。

高通还将与Snapdragon 835一起推出快速充电4.0，该公司声称，与上一代快速充电3.0相比，其充电速度提高了20%。该公司表示，使用Quick Charge 4经过精心设计，只需充电5分钟即可使智能手机使用长达5个小时或更长时间。快速充电4还将集成usb-pd和USB Type-C支持。

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高通公司的一份新闻稿称: “除了提供最一致的开箱即用充电体验外，Quick Charge 4还为适配器和移动设备配备了先进的安全功能。”

在整个充电过程中，在多个级别上实施保护，以更准确地测量电压，电流和温度，同时保护电池，系统，电缆和连接器。